GA-X monokalkojen temelli yazdırılabilir elektronik aygıtların geliştirilmesi

---

Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Bursa Uludağ Üniversitesi, FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ, ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2025

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: CEM ODACI

Danışman: Umut Aydemir

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Grup-III mono-kalkojenitlerin iki boyutlu (2D) katmanlı yarı iletkenleri, fotonik ve (opto)elektronik alanlarında cazip malzemeler olarak dikkat çekmiştir. 2D malzemelerin solüsyon işlemi süreci, baskılı elektronik uygulamaları için kullanılabilecek büyük ölçekli ve düşük maliyetli mürekkepler üretmeye yardımcı olur. Galliyum sülfür (GaS), galliyum selenid (GaSe) ve galliyum telürid (GaTe), polivinil pirrolidon (PVP) polimeri ile karıştırılarak mürekkep formlarını hazırlamak için solüsyon isleminden yararlanılmıştır ve sert SiO2/Si altlık üzerinde fototransistörler, esnek PET altlık üzerinde ise fotodetektörler üretmek için kullanılmıştır. Baskılı cihazlar üzerine farklı renk aydınlatmalar uygulanmış ve baskılı cihazların performanslarını araştırarak hareketlilik, foto yanıt verme, algılama ve dış kuantum verimliliği parametreleri karşılaştırılmıştır. SiO2/Si altlıkları üzerinde basılan GaX tabanlı foto transistörler incelenmiş ve üretilen cihazların işlevsellikleri rapor edilmiştir. Ayrıca, üretimden sonraki birkaç hafta içinde ortam koşullarında tutulan GaS parçacıkları esaslı foto dedektörlerin performansındaki değişiklikler de incelenmiştir. Sonrasında, farklı polimerler ile kaplanmış GaS bazlı foto algılayıcıların cihaz performansı üzerindeki etkileri keşfedilmektedir. Grup-III monokalojenid mürekkeplerinin yazıcı teknolojisi için üretilebilir olduğu ve mürekkep formlarının, baskılı elektronik cihaz uygulamalarında kullanılmak üzere umut verici performanslar sergilediği gösterilmektedir. Ayrıca, polimer kaplamanın esnek altlıklardaki baskılı GaS bazlı foto algılayıcılarda yüksek performans ve uzun stabilite sağladığı iddia edilmektedir; bu da III-VI grup katmanlı yarı iletken malzemelerin elektronik ve optoelektronik uygulamalardaki daha ileri uygulamaları için bir zemin hazırlayacaktır.