ZnSe/CuS İnce Film Heteroeklem Yapısının Üretilmesi ve Karakterizasyonu


Creative Commons License

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Bursa Uludağ Üniversitesi, FEN-EDEBİYAT FAKÜLTESİ, FİZİK, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2021

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Kürşat BOLAT

Danışman: Sertan Kemal Akay

Özet:

ZnSe/CuS heteroeklem yapı, indiyum kalay oksit (ITO) kaplı alttaş üzerine çinko selenit (ZnSe) ve bakır sülfit (CuS) ince filmlerin Termal buharlaşma tekniği kullanılarak üretilmesiyle elde edildi. Üretilen yapının, yüzey morfolojisi ve kristal yapısı taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve x-ışınları kırınımı (XRD) ile incelendi. XRD sonuçları üretilen yapının her iki fazı kapsadığını göstermektedir. SEM görüntülerinde kristallerin homojen dağılımı gözlenmiştir. Hall Etkisi ölçümü ile ZnSe ve CuS ince filmlerin elektriksel iletkenliği, taşıyıcı yük yoğunluğu, iletkenlik türü belirlendi. Üretilen yapının, oda sıcaklığı ve karanlık ortamda gerçekleştirilen akım-voltaj ölçümleri ile idealite faktörü 1,60, bariyer yüksekliği 0,61 eV ve ters doyma akımı 1,40E-6 A olarak hesaplanarak elektriksel parametreleri elde edildi. UV-VIS spektrofotometresi kullanılarak ZnSe ve CuS ince filmlerin optik geçirgenlik ve soğurma spektrumları ölçüldü.