Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Bursa Uludağ Üniversitesi, FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2019
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Tolga Murat Demiriz
Danışman: AHMET PEKSÖZ
Özet:Bu tez kapsamında depozisyon potansiyelinin CdTe ince filmlerinin fiziksel özellikleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. En iyi depozisyon potansiyelinin değeri tespit edilmeye çalışılmıştır. Depozisyon potansiyeli -0,4 V’tan başlayarak 0,1 V’luk değişimlerle -1,1 V’a kadar örnekler, ITO altlık üzerine depozit edilmiştir. Depozisyon potansiyeline bağlı olarak Cd/Te oranı, filmlerin yüzey oluşumları, filmlerin yapısal özellikleri, iletkenlik tipleri, taşıyıcı sayıları, optik özellikleri, yasak enerji bant aralıkları ve Nyquist değişimleri incelenmiştir. Elde edilen CV voltamogramlarında, -0,40 V’ta CdTe’ye ait bir pik gözlenmiştir. Üretilen CdTe ince filmlerinin yasak enerji bant aralıklarının 1,61 eV–1,94 eV aralığında değerler aldığı ve film kalınlarının da 72 nm–140 nm arasında değiştiği görülmüştür. CdTe İnce filmlerine ait AFM ölçümlerinden, ince filmlerin pürüzlülük değerlerinin 35 nm ile 191 nm arasında değiştiği görülmüştür. SEM-EDAX ölçümleri sonucunda CdTe ince filmlerin Cd/Te bileşim oranlarının 1,03 ile 1,55 arasında olduğu belirlenmiştir. Donör yoğunluklarının 1017 ile 1019 cm -3 arasında değiştiği, -0,9 V’ta üretilen ince film örneğinin akseptör yoğunluğunun ise 1020 cm -3 olduğu belirlenmiştir. Bu değerlere bağlı olarak üretilen örneklerin iletkenlik tiplerinin n-tipi olduğu ve -0,9 V’ta üretilen filmin iletkenlik tipinin de p-tipi olduğu görülmüştür. Mott-Schottky yaklaşımına göre ölçülen 1/C2 –V eğrilerinden elde edilen düz bant potansiyelleri 0,28 V ile 0,60 V arasında değişirken, -0,9 V’ta üretilen ince filme ait düz bant potansiyeli ise - 0,30 V olarak rapor edilmiştir. Bunlara ek olarak, CdTe ince filmlerine ait hesaplanmış Fermi enerji seviyeleri -3,57 eV ile 3,99 eV arasında değişmektedir. CdTe ince film örneklerinin yapısında bulunan boşluk (yani porlu yapılar) direncinin 0,787– 306,1 kΩ·cm2 arasında olduğu belirlenirken, yük transfer direncinin 0,222–512,6 Ω·cm2 arasında olduğu belirlendi. Elektrokimyasal olarak üretilen CdTe ince filmleri ile ilgili gerçekleştirilen XRD analizleri, filmlerin CdTe’ün, hekzagonal ve monoklinik fazlarına sahip olduğu olduğunu göstermiştir.