Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2018
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: SERHAT SARSICI
Danışman: Sertan Kemal Akay
Özet:Bu tez çalışmasında, Radyo Frekans Magnetron saçtırma tekniği kullanılarak (100) kristal yönelimli p-tipi Silisyum üzerine ZnO ince film büyütülerek ZnO/Si hetero eklem diyot elde edilmiştir. Üretilen hetero eklem diyotun morfolojik analizi X-Işını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve atomik kuvvet mikroskobu (AFM) kullanılarak incelenmiştir. XRD sonuçları ZnO ince filmin kübik nano kristal yapıda olduğunu göstermiştir. AFM ve SEM analiz sonuçları ile filmin yaklaşık olarak 2 nm yüzey pürüzlülük değeri ile tüm yüzeyi kaplayan düzgün bir dağılım gösterdiği tespit edilmiştir. ZnO ince filmin optik karakterizasyonu cam alt taş üzerine kaplanan ZnO ince filmden ölçülmüştür. ZnO'nun yasak band aralığı 3,34 eV olarak hesaplanmıştır. Üretilen diyotun akım-voltaj ve kapasitans-voltaj ölçümleri gerçekleştirilerek yapının elektriksel parametreleri belirlenmiştir. Elde edilen sonuçlar literatür ile karşılaştırılmıştır. Ayrıca, üretilen yapının fotovoltaik karakteristiği aydınlık akım-voltaj ölçümleri ile belirlenmeye çalışılmıştır.