Co-Cu alaşım filmlerinin elektrodepozisyonu ve özelliklerinin incelenmesi


Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Bursa Uludağ Üniversitesi, FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2005

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Mürşide Şafak

Danışman: MÜRSEL ALPER

Özet:

Co ve Co-Cu filmler her biri kendi iyonlarını içeren çözeltilerden Ti (hekzagonal sıkı paket, hcp) alttabaka üzerine elektrodepozisyon yöntemiyle büyütüldüler. Filmlerin özellikleri depozisyon potansiyeli, kalınlık, çözelti pH’ı ve Cu konsantrasyonuna göre araştırıldı. Filmlerin depozisyon potansiyelleri dönüşümlü voltametri (CV) metoduyla -1.6 V olarak belirlendi. Büyüme sırasında akım zaman geçişleri kaydedilerek büyüme modları incelendi. Buradan yola çıkarak Co ve Co-Cu filmlerin birbirinden farklı büyüme mekanizmasına sahip olduğu saptandı. Filmlerin nominal kütleleri tartılan kütleler ile karşılaştırılarak akım verimliliği yaklaşık %80 olarak hesaplandı. İndüktif Eşleşmiş Plazma Atomik Emisyon Spektroskopisi (ICP-AES) metoduyla yapılan kimyasal analizlerden filmlerin %90 civarında Co, %10 civarında Cu içerdiği bulundu. Bunun yanında çözeltideki Cu miktarına bağlı olarak filmdeki Cu oranı da değişmektedir. Filmlerin yapısal analizleri X-ışını difraksiyonu (XRD) tekniği ile yapıldı. Yüksek ve düşük pH’da üretilmiş Co filmler yüzey merkezli kübik (fcc) yapı göstermektedir. Ancak tercihli yönelimleri pH’a göre değişmektedir. Bunun yanında yüksek pH’da üretilen Co-Cu filmler karışık (fcc+hcp) yapı gösterirken düşük pH’daki filmler fcc yapıdadır. Ayrıca filmlerde depozit edilen Cu miktarı film yapısını etkilemektedir. Saf Co fcc, 0.01 M Cu içeren çözeltiden büyütülmüş film hcp, 0.02 M ve 0.04 M Cu içeren çözeltiden büyütülmüş filmler karışık yapıdadır. Farklı parametreler göz önünde tutularak filmlerin magnetorezistans (MR) özellikleri incelendi. Hazırlanan tüm filmlerin anizotropik magnetorezistans (AMR) davranış gösterdiği tespit edildi. Depozisyon parametrelerinden yalnızca pH’ın Co-Cu filmlerin MR değerlerini etkilediği görüldü.