The effects of package materials on the sensitivity of RadFET with HfO2 gate dielectric for electron and photon sources
25th Seminar on Activation Analysis and Gamma Spectroscopy (SAAGAS), Aachen, Germany, Aachen, Almanya, 23 - 25 Şubat 2015, (Özet Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
- Basıldığı Şehir: Aachen
- Basıldığı Ülke: Almanya
- Bursa Uludağ Üniversitesi Adresli: Evet