Akademik Veri Yönetim Sistemi
Akay S. K.(Yürütücü), Kaplan H. K.
Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje, BAP Doktora, 2021 - 2022
Diamond ve ark. (2*012) PLD ile farklı Cu oranlarında Cu-ZnS p tipi ince filmleri ürettiler. En iyi sonuçlar en yüksek %60transparanlık ve 54 S/cm iletkenliktir. Chamorro ve ark. (2016) Cu-ZnS p tipi ince filmlerin co-sputtering yöntemi ile farklı Cuoranlarında cam ve Si alttaşlar üzerine ürettiler. Elde ettikleri en iyi sonuç en yüksek %50 transparanlık ve 5 S/cm iletkenliktir.Kaplan ve ark. (2021) (Bu çalışma proje ekibi tarafından yapılmıştır) yaptıkları çalışmada TVA yöntemi ile ürettikleri yapılarda %72transparanlık ve 1064 S/cm iletkenlik elde ettiler.
P-tipi transparan iletken malzeme arayışının temelinde öncelikle tam şeffaf elektronik cihaz uygulamalarında kolaylık ve yeni tasarımimkanları ve esnekliği sağlayabilecek olması, fotovoltaik solar panellere, foto-diyot ve foto-transistör, gibi detektörlerde yeni tasarımve uygulama yöntemlerinin yolunu açacak olması ve optoelektronik cihazlara yeni tasarım esneklikleri gibi önemli nedenleryatmaktadır. Transparan iletken malzeme üretiminde kullanılan yöntemler arasında Kimyasal Banyo Biriktirme yöntemi, AtomikKatman Biriktirme, RF magnetron saçtırma gibi farklı methotlar bulunmaktadır. TVA yöntemini diğer yöntemlerden ayıran özelliklerinbaşında yüksek biriktirme hızı, hızlı üretim süreci, kimyasal atık bulunmaması, sisteme gaz verilmemesi gibi önemli farklarbulunmaktadır. P-tipi transparan iletken malzeme üretiminde kullanılacak Termiyonik Vakum Ark tekniği ile üretilen ince filmlerkompakt, homojen, nano yapılı, yüksek saflıkta ve düşük yüzeyi pürüzlülüğüne sahip olmaktadırlar. CuS-ZnS tozları uygunoranlarda karıştırılarak yüksek basınçta sıkıştırılarak (hidrolik pres kullanılarak) pellet haline getirilir. CuS-ZnS pellet anot potasına yerleştirilerek yüksek vakum altında plazma haline getirilip CuS:ZnS nanokristalin temelli nanokompozit ince film, Si ve camalttaşlar üzerine biriktirilecektir. Cam üzerine kaplanan numune kullanılarak UV-Vis spektrofotometre ölçümü yapılarak, optikgeçirgenlik ve soğurma spektrumları gözlenip optik yasak bant aralığı değeri optik soğurma spektrumu ve Tauc metodu kullanılarakbelirlenecektir. Hall Etkisi Ölçümü yapılarak nanokompozit yarıiletken ince filmin iletkenlik tipi, yük taşıyıcı konsantrasyonu, holemobilitesi, direnç ve iletkenliği belirlenecektir.