Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Bursa Uludağ Üniversitesi, FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2020
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Tuğçe Batmaz
Danışman: MUHİTDİN AHMETOĞLU
Özet:Metal ve yarıiletken kombinasyonları son yıllarda bilim dünyası için önemli optoelektronik ve elektronik cihaz uygulamalarıdır. Özellikle toprak elementlerinin (Fe, Ni, Co) yarıiletkenlerle kombinasyonu ile üretilen Schottky Bariyer kontaklar optik dedektörleri, güneş pilleri ve kimyasal sensörlerin temelidir. GaAs en popüler yarıiletken malzemelerden biridir. Aynı zamanda elektrodepozisyon yöntemi, yüksek verimi ve düşük maliyeti nedeniyle kaplama yönteminde tercih edilmesinin sebebidir. Bu araştırmada metal-yarıiletken Schottky diyodun elektriksel ve optik özellikleri araştırılmıştır. Schottky diyot, nikelin elektrodepozisyon yöntemi ile n-GaAs üzerine kaplanması oluşturulmuştur. İdealite faktörü ve bariyer yüksekliği, oda sıcaklığında akım-gerilim ölçümlerinden hesaplanmıştır. Hafif volt-akım karakteristikleri incelenmiştir. Örneklerin akım-voltaj özellikleri farklı dalga boyu lazer ışınlarıyla aydınlatılarak incelenmiştir. Yapının spektral fotoetki ölçümleri oda sıcaklığında gerçekleştirilmiştir. Bu, fabrikasyon yapının optoelektronik cihaz uygulamaları için iyi bir aday olmasını sağlayan davranışlar sergilediği gösterilmiştir.