Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Uludağ Üniversitesi, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2008
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: BURCU GÜRPINAR
Danışman: MUHİTDİN AHMETOĞLU
Özet:Bu çalışmada, doğrultucu özellik gösteren metal – yarıiletken Schottky bariyer diyotlar incelenmiştir. Schottky bariyer diyot, n-Si ve p-Si üzerine elektrodepozisyon yöntemi kullanılarak Cu depozite edilmesiyle oluşturulmuştur. Her iki durumdada oluşan Schottky diyoda ait akım-gerilim karakteristikleri incelenmiş ve elde edilen ln(I)’nın V’ye göre grafiğinden ideal faktör (n) ve bariyer yüksekliği (ΦB) hesaplanmıştır. I – V ölçümlerinin yanı sıra birde C – V ölçümleri alınmıştır. Ayrıca Cu filmi sabit akım modu kullanılarak n-tipi Si(100) üzerine elektrodepozit edilmiştir. Cu/n-Si’a ait elektriksel özellikler birkaç farklı sıcaklıkta incelenmiştir.