Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Bursa Uludağ Üniversitesi, FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2020
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Gökhan Keser
Danışman: AHMET PEKSÖZ
Özet:Bakır indiyum tellürit (CIT) kalkopirit bileşikleri, suda çözünebilen Cu, In ve Te moleküler kaynaklarını içeren sulu bir elektrolitten indiyum kalay oksit kaplı cam alttaşlar üzerine elektrokimyasal olarak büyütüldü. Bakır, indiyum ve tellür kaynakları olarak CuSO4·5H2O, InCl3 ve Na2TeO3 kullanıldı. CIT ince filmlerinin kaplanma mekanizmaları döngüsel voltammetri (CV) çalışmaları ile açıklanmıştır. Ayrıca kaplanma potansiyelinin CIT ince filmlerinin elektrik, optik ve yapısal özellikleri üzerindeki etkisi çalışılmıştır. Elektro depozit edilmiş CIT filmlerinin enerji bandı 0,97 ile 1,83 eV aralığındadır. -0,5, -0,6, -0,7 ve -0,8 V’ta üretilen CIT filmlerinin stokiyometrisi CuInTe2’ye yakındır. Üretilen CIT filmlerinin çoklu kristal yapıda olduğunu ve CuInTe2’nin sırasıyla 2θ ~ 25°, 41° ve 49°’de (1 1 2), (2 0 4) ve (1 1 6) yönelimlerine karşılık gelen ana kalkopirit fazı olduğu bulunmuştur. Hall-Etkisi ölçümleri, üretilen CIT ince filmlerinin, 2,8x10 ve 2,8x10 17 18 alıcı konsantrasyon aralığına ve üretilen tüm filmlerin p-tipi yarı iletken karaktere sahip olduğunu göstermiştir. 20,4 - 60,2 cm -3 cm /Vs aralığındaki mobilite değişimi CIT filmlerin 2,19 ile 0,59 aralığındaki farklı Cu/In oranları ile açıklanabilir. Filmlerin özdirenci 0,011 - 0,036 Ωcm arasındadır. Bu sonuçlar literatürle çok iyi bir uyum göstermektedir.